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SG2004J、SG2004J/883B、SG2004J/DESC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SG2004J SG2004J/883B SG2004J/DESC

描述 CDIP NPN 50V 0.5ACDIP NPN 50V 0.5ASmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 16 - -

封装 CDIP CDIP -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 CDIP CDIP -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - NLR -