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JAN1N6146、JANTXV1N6112A、1N6146对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6146 JANTXV1N6112A 1N6146

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORSTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, 13.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 C - C

引脚数 - 2 -

最大反向电压(Vrrm) 11.4V - -

脉冲峰值功率 1500 W 500 W -

最小反向击穿电压 13.54 V - -

钳位电压 - 25.1 V -

测试电流 - 65 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 C - C

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead - -