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DN2625K4-G、DN2625K6-G、DN2625DK6-G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DN2625K4-G DN2625K6-G DN2625DK6-G

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 1.1A 3Pin(2+Tab) DPAKTrans MOSFET N-CH 250V 1.1A 14Pin QFN EPDN2625 N 通道 MOSFET 晶体管Microchip DN2625 是低阈值消耗模式(常开)MOSFET 晶体管,采用高级垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。### 特点低栅极阈值电压 设计用于电源驱动 低切换损耗 低有效输出电容 设计用于电感性负载 ### MOSFET 晶体管,Microchip

数据手册 ---

制造商 Supertex (超科) Supertex (超科) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 14 8

封装 TO-252 QFN DFN-8

安装方式 - - Surface Mount

封装 TO-252 QFN DFN-8

长度 - - 5.1 mm

宽度 - - 5.1 mm

高度 - - 0.85 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

通道数 - - 2

漏源极电阻 - - 3.5 Ω

漏源极电压(Vds) - - 250 V

漏源击穿电压 - - 250 V

上升时间 - - 20 ns

输入电容(Ciss) - - 800pF @25V(Vds)

下降时间 - - 20 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定功率 2.5 W - -

ECCN代码 EAR99 - -

HTS代码 8541900000 - -