锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC856BW、BC856BW,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BW BC856BW,115

描述 单晶体管 双极, PNP, -65 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFENXP  BC856BW,115  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-323 SOT-323-3

频率 - 100 MHz

针脚数 3 3

极性 - PNP

耗散功率 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 200 mW

直流电流增益(hFE) 290 475

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 0.2 W

输入电容 - -

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

封装 SOT-323 SOT-323-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17

军工级 Yes -