BC856BW、BC856BW,115对比区别
描述 单晶体管 双极, PNP, -65 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFENXP BC856BW,115 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-323 SOT-323-3
频率 - 100 MHz
针脚数 3 3
极性 - PNP
耗散功率 200 mW 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
集电极最大允许电流 - 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 200 mW
直流电流增益(hFE) 290 475
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 0.2 W
输入电容 - -
长度 - 2.2 mm
宽度 - 1.35 mm
高度 - 1 mm
封装 SOT-323 SOT-323-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17
军工级 Yes -