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BUK7520-55A、BUK7520-55A,127、934056255127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7520-55A BUK7520-55A,127 934056255127

描述 在使用的TrenchMOS技术,具有非常低的导通状态电阻的塑料封装的N沟道增强型场效应功率晶体管。 N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.TO-220AB N-CH 55V 54ATRANSISTOR 54 A, 55 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 54.0 A - -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 54A 54A -

通道数 - 1 -

耗散功率 - 118 W -

输入电容(Ciss) - 1592pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 118 W -

耗散功率(Max) - 118W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

宽度 - 4.7 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Rail, Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -