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SI6993DQ-T1-E3、SI6993DQ-T1-GE3、FDS8433A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI6993DQ-T1-E3 SI6993DQ-T1-GE3 FDS8433A

描述 MOSFET P-CH DUAL 30V 3.6A 8TSSOPMOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOPFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8433A  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -20 V, 47 mohm, -4.5 V, -600 mV

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.048 Ω - 47 mΩ

极性 Dual P-Channel Dual P-Channel P-Channel

耗散功率 0.83 W - 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -4.70 A -4.70 A 5.00 mA

热阻 124℃/W (RθJA) - -

额定功率(Max) 830 mW 830 mW 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -5.00 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 600 mV

输入电容 - - 1.13 nF

栅电荷 - - 20.0 nC

漏源击穿电压 - - 20 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

上升时间 - - 23 ns

输入电容(Ciss) - - 1130pF @10V(Vds)

下降时间 - - 90 ns

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)

长度 4.5 mm - 5 mm

高度 1.05 mm - 1.5 mm

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SOIC-8

宽度 - - 4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99