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IRLL014NTRPBF、STN3NF06L、IRLL014NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLL014NTRPBF STN3NF06L IRLL014NPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLL014NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道 2ASTMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON  IRLL014NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 2.00 A 4.00 A -

针脚数 3 4 3

漏源极电阻 140 mΩ 0.07 Ω 0.14 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.1 W 3.3 W 2.1 W

产品系列 IRLL014N - -

阈值电压 2 V 2.8 V 2 V

输入电容 230 pF - 230 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 4.00 A 2.8A

上升时间 4.90 ns 25 ns 4.9 ns

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 3.3 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - 3.3 W 2.1 W

下降时间 - 10 ns 2.9 ns

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.3W (Tc) 1W (Ta)

通道数 - 1 -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.5 mm 6.7 mm

宽度 - 3.5 mm 3.7 mm

高度 - 1.8 mm 1.7 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)