MMFT3055E、MMFT3055ET1对比区别

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型号 MMFT3055E MMFT3055ET1

描述 SOT-223 N-CH 60V 1.7A功率MOSFET1.7安培，60伏N沟道TMOS E-FET？ SOT-223这种先进的E-FET是一个TMOS中等功率MOSFET设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。这种新型高效节能设备，还提供了一个漏 - 源二极管具有快速恢复时..

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223 SOT-223

引脚数 - 4

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 1.7A 1.7A

上升时间 - 22 ns

输入电容(Ciss) - 430pF @20V(Vds)

下降时间 - 49 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW

封装 SOT-223 SOT-223

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

材质 - Silicon

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free