STD18N55M5、STD5NK50ZT4、SPP04N80C3对比区别

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型号 STD18N55M5 STD5NK50ZT4 SPP04N80C3

描述 STMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 500 V 800 V

额定电流 - 4.40 A 4.00 A

额定功率 - 70 W 63 W

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.18 Ω 1.5 Ω 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 90 W 70 W 63 W

阈值电压 4 V 3.75 V 3 V

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 800 V

漏源击穿电压 550 V 500 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 16A 4.40 A 4.00 A

上升时间 9.5 ns 10 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1260pF @100V(Vds) 535pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 70 W 63 W

下降时间 13 ns 15 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 70W (Tc) 63W (Tc)

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 6.6 mm 6.6 mm 10 mm

宽度 6.2 mm 6.2 mm 4.4 mm

高度 2.4 mm 2.4 mm 15.65 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -