FQP6N25、STP5NK100Z、FDH44N50对比区别
型号 FQP6N25 STP5NK100Z FDH44N50
描述 250V N沟道MOSFET 250V n-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 250 V 1.00 kV -
额定电流 5.50 A 3.50 A -
漏源极电阻 1.00 Ω 3.7 Ω 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 63 W 125 W 750 W
漏源极电压(Vds) 250 V 1 kV 500 V
漏源击穿电压 250 V 1.00 kV -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 3.50 A -
上升时间 65 ns 7.7 ns 84 ns
输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 63 W 125 W 750 W
下降时间 30 ns 19 ns 79 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 125W (Tc) 750 W
额定功率 - 125 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3.75 V 3.15 V
长度 10.67 mm 10.4 mm 15.87 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 20.82 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -