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MT29F8G08ADBDAH4-IT:D、MT29F8G08ABACAH4:C、MT29F8G08ABBCAH4-IT:C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F8G08ADBDAH4-IT:D MT29F8G08ABACAH4:C MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

描述 SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 1G x 8Bit 25ns 63Pin VFBGASLC NAND Flash Parallel 3.3V 8Gbit 1G x 8Bit 63Pin VFBGAMT29F8G08ABBCAH4-IT:C 126/托盘

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 63 63 63

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 BGA

工作电压 1.80 V 3.30 V 1.80 V

供电电流 20 mA 35 mA 20 mA

位数 8 8 8

内存容量 1000000000 B 1000000000 B 1000000000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 2.7V ~ 3.6V 1.8 V

存取时间(Max) 25 ns - -

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 BGA

高度 0.65 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - 3A991B1A