BSC010NE2LSI、IRFH4210DTRPBF、BSC010NE2LS对比区别

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型号 BSC010NE2LSI IRFH4210DTRPBF BSC010NE2LS

描述 INFINEON  BSC010NE2LSI  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRFH4210DTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 25 V, 0.00085 ohm, 10 V, 1.6 V 新INFINEON  BSC010NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 5 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

额定功率 - 3.5 W -

通道数 1 1 1

针脚数 8 5 8

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 96 W 3.5 W 96 W

阈值电压 2 V 1.6 V 2 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 38A 44A 39A

上升时间 6.2 ns 45 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @12V(Vds) 4812pF @13V(Vds) 4700pF @12V(Vds)

下降时间 4.6 ns 16 ns 4.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc)

漏源极电阻 0.0009 Ω - 0.0008 Ω

漏源击穿电压 - - 25 V

额定功率(Max) 96 W - 2.5 W

宽度 5.15 mm 5 mm 5.15 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

长度 6.1 mm - 5.9 mm

高度 1.1 mm - 1.27 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR