IRF840PBF、STP5NK50Z、IRF840对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF840PBF STP5NK50Z IRF840

描述 功率MOSFET Power MOSFETN沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFETN沟道功率MOSFET ， 8A ， 450 V / 500V N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 8.00 A 4.40 A -

额定功率 125 W 70 W -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.85 Ω 1.22 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 125 W 70 W -

阈值电压 4 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 4.40 A -

上升时间 23 ns 10 ns -

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 125 W 70 W -

下降时间 20 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 70W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - EAR99 -