IRF840PBF、STP9NK50Z、IRF840对比区别

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型号 IRF840PBF STP9NK50Z IRF840

描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP9NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道功率MOSFET ， 8A ， 450 V / 500V N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 8.00 A 7.20 A -

额定功率 125 W 110 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.85 Ω 0.72 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 125 W 110 W -

阈值电压 4 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.20 A -

上升时间 23 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 125 W 110 W -

下降时间 20 ns 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 110W (Tc) -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR - -