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1N750A-TP、JANTXV1N750A-1、JAN1N750A-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N750A-TP JANTXV1N750A-1 JAN1N750A-1

描述 DO-35 4.7V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW 480 mW 480 mW

稳压值 4.7 V 4.7 V 4.7 V

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

测试电流 - 20 mA 20 mA

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃