CY7C1412KV18-250BZCT、CY7C1412KV18-250BZXC、CY7C1412KV18-250BZC对比区别

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型号 CY7C1412KV18-250BZCT CY7C1412KV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZC

描述 静态随机存取存储器 36Mb 1.8V 250Mhz 2M x 18 QDR II 静态随机存取存储器CY7C1412BV18 36 Mb (2 M x 18) 250 MHz 1.8V QDR-II 2-字突发 SRAM - FBGA-16536 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 18 18 18

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 - - 610 mA

时钟频率 - - 250 MHz

存取时间 - - 1 ms

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

高度 - 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a