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1N5229B-TR、JANTX1N749A-1、1N5229B-G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5229B-TR JANTX1N749A-1 1N5229B-G

描述 齐纳二极管 500mW,1N52xx 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDiode Zener Single 4.3V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

容差 - ±5 % -

正向电压 1.1 V 1.1V @200mA -

耗散功率 500 mW 480 mW -

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 4.3 V 4.3 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

击穿电压 4.3 V - -

稳压电流 20 mA - -

正向电压(Max) 1.1V @200mA - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

封装 DO-35 DO-35 -

长度 3.9 mm - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Bag -

最小包装 10000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free -

HTS代码 8541100050 - -