锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MSMBG8.0AE3、MSMBG8.0A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSMBG8.0AE3 MSMBG8.0A

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage SuppressorDO-215AA 8V 600W

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-215AA-2 DO-215AA

引脚数 - 2

最大反向电压(Vrrm) 8V 8V

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 8.89 V 8.89 V

钳位电压 - 13.6 V

测试电流 - 1 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 100 A

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

封装 DO-215AA-2 DO-215AA

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准