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CY62126DV30L-55BVI、CY62126DV30LL-55BVI、CY62126DV30L-55BAI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62126DV30L-55BVI CY62126DV30LL-55BVI CY62126DV30L-55BAI

描述 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAM1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAMSRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 64K x 16 55ns 48Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 48 - 48

封装 FBGA VFBGA FBGA

安装方式 Surface Mount - -

封装 FBGA VFBGA FBGA

高度 0.81 mm - -

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Bulk

位数 16 - -

存取时间(Max) 55 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 3 V - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -