IR2111SPBF、IR2112S、IR2111S对比区别

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型号 IR2111SPBF IR2112S IR2111S

描述 INFINEON  IR2111SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8600V High and Low Side Driver IC with typical 0.25A source and 0.5A sink currents in 16 Lead SOICWB package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead PDIP.Driver 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 16 8

封装 SOIC-8 SOIC-16 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) 20.0V (max) -

额定功率 625 mW - -

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 600 V ≤20.0 V -

输出电流 250.500 mA 0.25 A -

通道数 2 - -

针脚数 8 - -

耗散功率 625 mW - 625 mW

上升时间 130 ns - -

下降时间 65 ns - -

下降时间(Max) 65 ns - 65 ns

上升时间(Max) 130 ns - 130 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V - -

电源电压(Min) 10 V - -

产品系列 - IR2112 -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-16 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -