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IHW30N120R2、STGW38IH130D、STGWS38IH130D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IHW30N120R2 STGW38IH130D STGWS38IH130D

描述 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diodeSTMICROELECTRONICS  STGW38IH130D  单晶体管, IGBT, 63 A, 1.3 kV, 250 W, 1.3 kV, TO-247, 3 引脚33 A - 1300 V - 非常快速的IGBT 33 A - 1300 V - very fast IGBT

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 390 W 250 W 180000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1300 V 1300 V

额定功率(Max) 390 W 250 W 180 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 390 W 250000 mW 180000 mW

针脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.9 mm - -

宽度 5.3 mm 5.15 mm -

高度 20.95 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99