IXFP130N10T2、IXTA220N075T、IXFP130N10T对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXFP130N10T2 IXTA220N075T IXFP130N10T

描述 N沟道 100V 130AMOSFET N-CH 75V 220A TO-263TO-220 N-CH 100V 130A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

漏源极电阻 9.1 mΩ - 9.1 mΩ

耗散功率 360 W 480W (Tc) 360W (Tc)

阈值电压 4.5 V - -

漏源极电压(Vds) 100 V 75 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

上升时间 38 ns - -

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 7700pF @25V(Vds) 5080pF @25V(Vds)

下降时间 25 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 360W (Tc) 480W (Tc) 360W (Tc)

极性 - - N-CH

连续漏极电流(Ids) - - 130A

长度 10.66 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 16 mm - -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free