PUMB9、PUMB9,115对比区别

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型号 PUMB9 PUMB9,115

描述 PNP / PNP电阻配备晶体管; R 1 = 10千瓦， R2 = 47千瓦 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = 47 kW2个PNP-预偏置 100mA 50V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSSOP TSSOP-6

引脚数 - 6

极性 PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA -

耗散功率 - 0.3 W

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

封装 TSSOP TSSOP-6

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99