RDN050N20、RDN050N20FU6对比区别

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型号 RDN050N20 RDN050N20FU6

描述 开关（ 200V， 5A） Switching (200V, 5A)Mosfet n-Ch 200V 5A To-220fn

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 晶体管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220F-3 TO-220-3

额定电压(DC) 200 V -

额定电流 5.00 A -

极性 N-CH -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A -

上升时间 22.0 ns -

输入电容(Ciss) 292pF @10V(Vds) 292pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 30 W -

耗散功率(Max) 30W (Tc) 30W (Tc)

通道数 - 1

耗散功率 - 30 W

阈值电压 - 4 V

封装 TO-220F-3 TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Not For New Designs

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS-conform RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

工作温度 - 150℃ (TJ)