IRF730PBF、STP7NK40Z、STP11NK40Z对比区别

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型号 IRF730PBF STP7NK40Z STP11NK40Z

描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP7NK40Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 400 V 400 V 400 V

额定电流 5.50 A 5.40 A 9.00 A

额定功率 74 W 70 W 110 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1 Ω 1 Ω 0.55 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 74 W 70 W 110 W

阈值电压 4 V 3.75 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

漏源击穿电压 400 V 400 V 400 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 5.40 A 9.00 A

上升时间 15 ns 15 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 74 W 70 W 110 W

下降时间 14 ns 12 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 74000 mW 70W (Tc) 110W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 9.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -