IRF730PBF、STP7NK40Z、STP11NK40Z对比区别
型号 IRF730PBF STP7NK40Z STP11NK40Z
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP7NK40Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 400 V 400 V 400 V
额定电流 5.50 A 5.40 A 9.00 A
额定功率 74 W 70 W 110 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1 Ω 1 Ω 0.55 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 74 W 70 W 110 W
阈值电压 4 V 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V
漏源击穿电压 400 V 400 V 400 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 5.40 A 9.00 A
上升时间 15 ns 15 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 74 W 70 W 110 W
下降时间 14 ns 12 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 74000 mW 70W (Tc) 110W (Tc)
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -