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IXFP3N120、IXTH3N120、IXFA3N120对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFP3N120 IXTH3N120 IXFA3N120

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFP3N120  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 120 V, 4.5 ohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 1.2kV 3A 3Pin(3+Tab) TO-247IXFA Series 1200V 4.5Ω SMT N-Channel HiPerFET Power Mosfet - TO-263-3

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-263-3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 4.5 Ω 4.5 Ω -

耗散功率 200 W 150 W 200 W

阈值电压 5 V 4.5 V -

漏源极电压(Vds) 120 V 1200 V 1200 V

漏源击穿电压 - 1200 V -

上升时间 15 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1050pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1050 pF

下降时间 18 ns 18 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A - -

额定功率(Max) 200 W - -

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.3 mm 9.2 mm

高度 - 21.46 mm -

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -