STF35N65M5、STF38N65M5对比区别

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型号 STF35N65M5 STF38N65M5

描述 N沟道650 V， 0.085 I© ， 27 A， MDmeshâ ?? ¢在D²PAK V功率MOSFET ， TO- 220FP ， I²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.073 Ω

耗散功率 40 W 35 W

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V

上升时间 12 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 3750pF @100V(Vds) 3000pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 40 W 35 W

下降时间 16 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 35W (Tc)

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 16.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free