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MT48H8M16LFB4-75IT:K、MT48H8M16LFB4-75:K、W987D6HBGX6E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT48H8M16LFB4-75IT:K MT48H8M16LFB4-75:K W987D6HBGX6E

描述 DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA TrayDRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA TrayDRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - 54 54

封装 VFBGA VFBGA-54 TFBGA-54

位数 - 16 16

存取时间(Max) - 8ns, 5.4ns 6ns, 5.4ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -25 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

工作电压 1.80 V 1.80 V -

封装 VFBGA VFBGA-54 TFBGA-54

高度 - 0.65 mm -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Not For New Designs

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - - EAR99