BLF6G20S-45、BLF6G20LS-110,112、BLF6G20LS-110,118对比区别

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型号 BLF6G20S-45 BLF6G20LS-110,112 BLF6G20LS-110,118

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B BulkTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

安装方式 - Surface Mount -

封装 - SOT-502-3 SOT502B

频率 - 1.93GHz ~ 1.99GHz -

额定电流 - 29 A -

漏源极电阻 - 160 mΩ -

阈值电压 - 2 V -

漏源击穿电压 - 65 V -

输出功率 - 25 W -

增益 - 19 dB -

测试电流 - 900 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

长度 - 20.7 mm -

宽度 - 9.91 mm -

高度 - 4.72 mm -

封装 - SOT-502-3 SOT502B

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free