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IRLZ14S、IRLZ14STRRPBF、IRLZ14SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLZ14S IRLZ14STRRPBF IRLZ14SPBF

描述 MOSFET N-CH 60V 10A D2PAKMOSFET N-CH 60V 10A D2PAKMOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 10.0 A - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 60.0V (min) - -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A - -

上升时间 110 ns - -

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.7 W - -

耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free