IXFH21N50F、SIHG460B-GE3、IXFC24N50对比区别

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型号 IXFH21N50F SIHG460B-GE3 IXFC24N50

描述 IXYS RF  IXFH21N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 21 A, 300 W, 500 kHz, TO-247ADVISHAY  SIHG460B-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 VISOPLUS N-CH 500V 21A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Vishay Semiconductor (威世) IXYS Semiconductor

分类 晶体管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 ISOPLUS-220

针脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 278 W 230W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A - 21A

上升时间 12.0 ns 31 ns -

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3094pF @10V(Vds) 4200pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 278 W 230W (Tc)

漏源极电阻 - 0.2 Ω -

阈值电压 - 2 V -

下降时间 - 56 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-247-3 TO-247-3 ISOPLUS-220

长度 - 15.87 mm -

宽度 - 5.31 mm -

高度 - 20.82 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Obsolete

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -