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IRF840ASPBF、IRF840S、IRF840ASTRRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF840ASPBF IRF840S IRF840ASTRRPBF

描述 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

耗散功率 3.1W (Ta), 125W (Tc) - 125W (Tc)

输入电容(Ciss) 1018pF @25V(Vds) - 1018pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) - 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)