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ZXMN10A08DN8TA、ZXMN10A08DN8TC、FDS3992对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TC FDS3992

描述 ZXMN10A08 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3992..  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 100V, SOIC

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 2.10 A 2.10 A 4.50 A

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.054 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1.8 W - 2.5 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 750 pF

栅电荷 - - 11.0 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.60 A 1.60 A 4.50 A

上升时间 2.2 ns 2.20 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 405pF @50V(Vds) 405pF @50V(Vds) 750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 2.5 W

下降时间 3.2 ns - 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1800 mW 1.25 W 2.5 W

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.9 mm

高度 1.5 mm - 1.575 mm

封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99