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IS42S16800E-6BLI-TR、IS42S16800F-6BLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16800E-6BLI-TR IS42S16800F-6BLI-TR

描述 IC SDRAM 128Mbit 166MHz 54TFBGA128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 BGA-54 TFBGA-54

位数 16 16

存取时间 - 5.4 ns

存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V

电源电压(Min) - 3 V

封装 BGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99