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SI9410DY、SI9410DY,518、FDS6612A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI9410DY SI9410DY,518 FDS6612A

描述 N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistorSO N-CH 30V 7AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6612A  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

引脚数 - - 8

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 30 mΩ 0.019 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 7A 8.40 A

上升时间 - 6 ns 5 ns

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1 W

下降时间 - 11 ns 3 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 8.40 A

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.9 V

输入电容 - - 560 pF

栅电荷 - - 5.40 nC

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

输入电容(Ciss) - - 560pF @15V(Vds)

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.45 mm -

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99