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GP30MHE3/73、GP30M-E3/54、GP30M-BP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GP30MHE3/73 GP30M-E3/54 GP30M-BP

描述 DIODE 3A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier DiodeDIODE 3A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier DiodeRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)

分类 TVS二极管整流二极管

基础参数对比

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

正向电压 1.1V @3A 1.1V @3A -

反向恢复时间 5 µs 5 µs -

正向电压(Max) 1.1V @3A - -