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L6569、L6569D、L6571BD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6569 L6569D L6571BD

描述 STMICROELECTRONICS  L6569  双功率芯片, 半桥, 10V-16.6V电源, 270mA输出, DIP-8L6569 系列 双通道 175 mA 120 Ω 半桥 振荡器驱动器 - SOIC-8STMICROELECTRONICS  L6571BD  双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SO-8 SOIC-8

频率 0.2 MHz 0.2 MHz -

电源电压(DC) 16.6V (max) 16.6V (max) -

输出接口数 2 2 2

供电电流 25.0 mA 25.0 mA 25.0 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 10V ~ 16.6V 10V ~ 16.6V 10V ~ 16.6V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

输出电压 618 V - 618 V

输出电流 175 mA - -

通道数 2 - -

针脚数 8 - 8

输出电压(Max) 618 V - 618 V

电源电压(Max) 16.6 V - 16.6 V

封装 DIP-8 SO-8 SOIC-8

长度 10.92 mm - 5 mm

宽度 6.6 mm - 4 mm

高度 3.32 mm - 1.25 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99