IXGP7N60CD1、IXYP8N90C3D1对比区别

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型号 IXGP7N60CD1 IXYP8N90C3D1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin(3+Tab) TO-220ABIGBT 900V 8A Through Hole High-Speed IGBT Tube - TO-220-3

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 900 V

反向恢复时间 35 ns 114 ns

额定功率(Max) 75 W 125 W

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 125000 mW

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free