MRF6V12500HR3、MRF6V12500HR5对比区别

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型号 MRF6V12500HR3 MRF6V12500HR5

描述 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215MHz, 500W, 50VRF Power Transistor,960 to 1215MHz, 500W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1792

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管

安装方式 Screw Surface Mount

引脚数 - 3

封装 NI-780H-2L NI-780H-2L

频率 1.03 GHz 1.03 GHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

输出功率 500 W 500 W

增益 19.7 dB 19.7 dB

测试电流 200 mA 200 mA

输入电容(Ciss) - 1391pF @50V(Vds)

工作温度(Max) - 225 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

额定电压 110 V 110 V

电源电压 - 50 V

封装 NI-780H-2L NI-780H-2L

工作温度 - -65℃ ~ 225℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99