锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N3780、JANTX1N821-1、JANTXV1N821对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3780 JANTX1N821-1 JANTXV1N821

描述 Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PINJANTX 系列 6.2 V 2 uA 500 mW 通孔 齐纳 参考 二极管 - DO-356.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-204AA

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-7 DO-35-2 -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 7.5 mA -

稳压值 - 6.2 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 - 5.08 mm -

封装 DO-7 DO-35-2 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bag -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -