STB120N4LF6、BUK9606-40B,118、IRL1404SPBF对比区别

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型号 STB120N4LF6 BUK9606-40B,118 IRL1404SPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STB120N4LF6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 VD2PAK N-CH 40V 129AN沟道 40V 160A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 110 W 203 W 3.8 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 129A 160 A

上升时间 95 ns 145 ns 270 ns

输入电容(Ciss) 4300pF @25V(Vds) 4901pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 203 W 3.8 W

下降时间 45 ns 92 ns -

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 160 A

产品系列 - - IRL1404S

漏源击穿电压 - - 40.0 V

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0031 Ω - -

阈值电压 1 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 110W (Tc) - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -