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BSP88H6327、BSP89H6327XTSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP88H6327 BSP89H6327XTSA1

描述 240V,6000mΩ,0.35A,N沟道小信号MOSFETINFINEON  BSP89H6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 240 V, 4.2 ohm, 10 V, 1.4 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 4 4

封装 - SOT-223-4

额定功率 - 1.8 W

针脚数 - 4

漏源极电阻 - 4.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 - 1.8 W

阈值电压 - 1.4 V

漏源极电压(Vds) - 240 V

连续漏极电流(Ids) - 0.35A

上升时间 - 3.5 ns

输入电容(Ciss) - 80pF @25V(Vds)

下降时间 - 18.4 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.8W (Ta)

长度 - 6.5 mm

宽度 - 3.5 mm

高度 - 1.6 mm

封装 - SOT-223-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC -