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CY7C1360C-166BZXI、CY7C1360C-200BGC、CY7C1360C-166BZI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1360C-166BZXI CY7C1360C-200BGC CY7C1360C-166BZI

描述 9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线式SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线式SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线式SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 165 119 165

封装 BGA BGA-119 FBGA-165

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

供电电流 - 220 mA 180 mA

位数 36 36 36

存取时间 - 3 ns 3.5 ns

存取时间(Max) 3.5 ns 3 ns 3.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 - 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

封装 BGA BGA-119 FBGA-165

高度 0.89 mm 1.46 mm -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead