PH3230S、PH3230S,115对比区别

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型号 PH3230S PH3230S,115

描述 PH3230S n沟道增强型场效应功率晶体管 30V 100A SOT669 代码 3230s 低闸极电荷MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 5

封装 SOT-669 SOT-669

漏源极电阻 0.0027 Ω -

极性 N-Channel -

耗散功率 62.5 W 62.5 W

阈值电压 2 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 100 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ -

上升时间 - 37 ns

输入电容(Ciss) - 4100pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 62.5 W

下降时间 - 37 ns

耗散功率(Max) - 62.5W (Tc)

封装 SOT-669 SOT-669

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -