IRL7833PBF、IRLB3813PBF、FDP8870对比区别

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型号 IRL7833PBF IRLB3813PBF FDP8870

描述 INFINEON  IRL7833PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.3 VINFINEON  IRLB3813PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP8870.  场效应管, MOSFET, N沟道

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 140 W 230 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0038 Ω 0.0016 Ω 0.0034 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 140 W 230 W 160 W

阈值电压 2.3 V 1.9 V 2.5 V

输入电容 4170 pF 8420 pF 5.20 nF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 150A 260A 156 A

上升时间 50 ns 170 ns 105 ns

输入电容(Ciss) 4170pF @15V(Vds) 8420pF @15V(Vds) 5200pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 230 W 160 W

下降时间 6.9 ns 60 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 230W (Tc) 160W (Tc)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 160 A

栅电荷 - - 106 nC

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 10.54 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 4.4 mm 4.83 mm 4.83 mm

高度 8.77 mm 9.02 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99