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VN10KN3-G、VN10KN3-G-P002、VN10KN3-G-P014对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN10KN3-G VN10KN3-G-P002 VN10KN3-G-P014

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 VTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3Pin TO-92 T/RTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

耗散功率 1 W 1 W 1W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 1W (Tc)

通道数 - 1 -

额定功率 1 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 5 Ω - -

阈值电压 2.5 V - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 5.21 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅