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BLF2425M9LS30J、BLF2425M9LS30U对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF2425M9LS30J BLF2425M9LS30U

描述 RF Power Transistor, 2.4 to 2.5GHz, 30W, 18.5dB, 32V, SOT1135-B, LDMOSRF Power Transistor, 2.4 to 2.5GHz, 30W, 18.5dB, 32V, SOT1135-B, LDMOS

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 SOT-1135 SOT-1135

频率 2.45 GHz 2.45 GHz

输出功率 30 W 30 W

增益 18.5 dB 18.5 dB

测试电流 20 mA 20 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V

电源电压 32 V 32 V

高度 - 4.65 mm

封装 SOT-1135 SOT-1135

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -