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PHB108NQ03LT、PHB108NQ03LT,118、JANTX2N6768对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHB108NQ03LT PHB108NQ03LT,118 JANTX2N6768

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETTrans MOSFET N-CH 25V 75A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN-channel enhancement mode MOSFET power transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Omnirel Corp

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOT-404 TO-263-3 -

耗散功率 - 187 W -

漏源极电压(Vds) - 25 V -

上升时间 - 38 ns -

输入电容(Ciss) - 1375pF @12V(Vds) -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 187W (Tc) -

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 9.4 mm -

高度 - 4.5 mm -

封装 SOT-404 TO-263-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -