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KBP06G、KBP10G、GBU4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KBP06G KBP10G GBU4G

描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBP-G, 4PinKBP10G 管装Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 400V V(RRM), Silicon, 20.80 X 18MM, 3.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) Diodes (美台) Diotec Semiconductor

分类 桥式整流器二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 4 4

封装 - KBP-4 -

额定电压(DC) - 1.00 kV -

额定电流 - 1.50 A -

电容 - 20.0 pF -

输出电流 - ≤1.50 A -

正向电压 - 1.1 V 1 V

正向电流 - 1.5 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 40 A 150 A

正向电流(Max) - 1.5 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -50 ℃

负载电流 - - 4 A

反向恢复时间 - - 1500 ns

长度 - 14.75 mm -

宽度 - 3.65 mm -

高度 - 10.6 mm -

封装 - KBP-4 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Box

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 EAR99