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IS62WV25616BLL-55T、IS62WV25616BLL-55TI、IS62WV25616BLL-55TLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62WV25616BLL-55T IS62WV25616BLL-55TI IS62WV25616BLL-55TLI

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 44Pin TSOP-IISRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 55ns 44Pin TSOP-IIRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 44 44

封装 TSOP-2 TSOP-44 TSOP-44

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

位数 - 16 16

存取时间 - 55.0 ns 55 ns

内存容量 - 4000000 B 500000 B

存取时间(Max) - 55 ns 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

工作电压 - - 3.3 V

封装 TSOP-2 TSOP-44 TSOP-44

长度 - - 18.52 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 - - 1.05 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99